在电力电子和电路仿真领域,精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET,仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好,“垃圾进,垃圾出”,即如果输入的是垃圾,那么输出的也是垃圾。
Microchip 推出可配置的配套驱动板系列,使用基于碳化硅(SiC)或硅 (Si)技术的混合功率驱动模块
结合ST第三代碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管、STGAP隔离驱动器和STM32微控制器技术,此图腾柱无桥式功率因数修正器(PFC)解决方案为一个即插即用的解决方案,满足数据中心之高阶服务器和电信通讯电源设计的需求
【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。
【2024年3月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。
如今,碳化硅 (SiC) 器件在电动汽车 (EV) 和太阳能光伏 (PV) 应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过,SiC 的材料优势还可能用在其他应用中,其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展,同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点。最后,本文还将讨论为什么 SiC 固态断路器日益受到人们青睐。
STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
2023年汽车业务收入创纪录,同比增长29%
【2024年1月26日,德国慕尼黑和美国北卡罗来纳州达勒姆讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与全球碳化硅技术领域的领导者Wolfspeed(NYSE代码:WOLF)近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展,双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性,还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
提升电动汽车夏冬续航里程,降低整车拥有成本
2023年12月22日,中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM),与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车(纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET,支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
在这篇文章中,小编将对碳化硅材料的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度,和小编一起来阅读以下内容吧。
一直以来,碳化硅材料都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来碳化硅材料的相关介绍,详细内容请看下文。
MOS管在直流充电桩上的应用:推荐瑞森半导体-650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超结MOS系列
SP1F和SP3F电源模块采用碳化硅(SiC)或硅 (Si)技术,可配置性高并适配压接式端子
早在十多年前,电动汽车就已经引入400V电池系统,现在我们看到行业正在向800V系统迁移,主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训,设计人员现在正专注于增强高压保护电路的性能并提高可靠性。他们正在重新评估使用熔丝、接触器或继电器的现有解决方案,以寻找响应速度更快、稳健性更强且可靠性更高的解决方案,如热熔丝和电子熔丝(即E-Fuse)。
【2023年11月29日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块,其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。
随着科技的不断发展,半导体材料在电子、通信、航空航天等领域的应用越来越广泛。其中,碳化硅(SiC)作为一种具有优异性能的半导体材料,已经成为了全球半导体产业的研究热点。本文将对碳化硅半导体及其产业链进行概述,以期为读者提供一个全面的了解。
近日,在成功举办的2023意法半导体工业峰会上,意法半导体展示了作为工业上游的领军半导体企业,对当下第三代半导体技术、落地方案和生态战略等方面的布局。换句话来说,意法半导体正在捕捉国内工业数智化深度变革的一次机遇,并为各产业未来发展提供坚实的全方位支持。
此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术