近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组针对三维垂直型存储器,从理论上总结了芯片速度受限的原因和偏置方法的相关影响,提出了新型的偏置方法和核心电路,相关成果以研究长文的形式发表在2018年7月的国际超大规模集成电路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, pp. 1268-1276]上。审稿人认为,该论文首次将动态仿真应用于三维垂直型存储器。
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