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[导读]DRAM供不应求短期难解,全球DRAM制造龙头南韩三星半导体通知通路商,计划明年第1季再调涨DRAM报价,涨幅3~5%, 其中以行动式DRAM涨幅较大,这也说明三星在采取节制性增产下,仍不愿放弃持续拉升DRAM获利,推升集团获利表现,有助破除让近期市场担心三星可能会扩产,打乱DRAM产业秩序的疑虑。

DRAM供不应求短期难解,全球DRAM制造龙头南韩三星半导体通知通路商,计划明年第1季再调涨DRAM报价,涨幅3~5%, 其中以行动式DRAM涨幅较大,这也说明三星在采取节制性增产下,仍不愿放弃持续拉升DRAM获利,推升集团获利表现,有助破除让近期市场担心三星可能会扩产,打乱DRAM产业秩序的疑虑。

台湾DRAM大厂也强调,目前主要大厂包括三星、美光和SK海力士等,仍以升级制程作为提高DRAM产出的主要方向,预料即使三星调升部分产线,增加的DRAM产出仍无法满足市场需求, 预料明年DRAM还是处于供货短缺,产业还是会相当健康的一年。

三星和SK海力士目前主宰全球逾75%的DRAM市场,因此二大厂的发展策略,也成为关注焦点。 近期市调机构认为,三星在连续多季高获利下,手中现金充裕,可能调整部分产线,增产DRAM。

内存通路商表示,三星增产DRAM仍主要着眼小量提升。 由于三星仍通知明年第1季仍将调涨DRAM合约价,虽然涨幅较本季收敛,约上涨3~5%,但也很清楚反映三星不想打破现有DRAM供需失衡,让价格失序。

业者分析,虽然中国大陆倾国家之力全力发展内存,但目前三大厂包括三星、SK海力士及美光全力防堵,美光甚至动用美中台等检调单位进行调查,防止营业秘密和硅智财遭窃,已达到恫吓效果,中国大陆短期难在DRAM领域难以突图, 三大厂不可能此时自废武功,牺牲DRAM获利,减少未来在3D 储存型闪存(NAND Flash)即将面临的激烈战火。

内存通路商强调,三星明年计划再调涨DRAM合约价,将创下史上涨势最长且涨幅最大的纪录,主因来自各项应用相当强劲,尤其数据中心对服务器需求增幅相当大,大举排挤行动式内存DRAM产能, 三星因而在本季调涨行动式DRAM报价10~15%,而在苹果新机iPhone X预购优于期,加上中国大陆品牌手机厂机海也齐发,再者智能汽车、AI(人工智能),对要求高频运算的DRAM需求有增无减, 都让DRAM成为当前最火红的半导体组件,预料明年缺货还是难解。

DRAM市场现阶段仍呈现供需稍有吃紧的荣景,包括三星、美光、SK海力士,与南亚科、华邦电等业者都受惠。 不过,研调机构集邦科技示警,传出三星方面考虑扩大DRAM产能,这可能改变目前供给紧俏的局面。

由于DRAM厂近两年来产能扩张的幅度有限,加上制程转换过程具有难度,DRAM供给量成长幅度明显较往年放缓。

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