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[导读]虽然近期市场不断传出有关三星及SK海力士等韩系厂商明年将扩充DRAM产能消息,但实际上,韩系厂商仅在现有厂房空间提升投片量,明年底之前都没有兴建新DRAM厂计划。

虽然近期市场不断传出有关三星及SK海力士等韩系厂商明年将扩充DRAM产能消息,但实际上,韩系厂商仅在现有厂房空间提升投片量,明年底之前都没有兴建新DRAM厂计划。

国内OEM大厂高层主管透露,近期拜访韩系存储器厂讨论明年采购量,业者明示明年第一季DRAM合约价格续涨5~10%后,第二季恐将续涨5%以上,希望OEM厂提早备货以免又面临缺货窘境。

第四季是传统DRAM市场旺季,在供不应求下,价格出现涨幅。其中标淮型DRAM模组合约价较上季涨7%,4GB DDR4模组均价来到30.5美元创下新高。至于智能手机搭载行动式DRAM容量大增,带动合约价较上季大涨10~20%,而缺货严重的伺服器DRAM合约价格也较上季调涨6~10%。

DRAM市场在每年第一季进入淡季,但明年第一季情况十分特殊,由于苹果iPhone X零组件拉货动能延续到明年初,加上三星、华为、OPPO、Vivo等手机厂将在第一季的世界通讯大会(MWC)推出新款手机,行动式DRAM需求维持高档。

也因此,业界对第一季DRAM价格续涨已有共识,以目前各业者协商出来的合约价来看,平均较第四季再涨5~10%。

国内OEM大厂高层主管透露,近期拜会韩系存储器厂,针对明年供货量、采购量、价格等均有深入协商,韩系业者已告知,由于明年DRAM不会有太多新增产能,第一季DRAM合约价调涨5~10%之后,第二季价格续涨机率很高,不排除再涨5%以上,希望OEM厂提早备货。

由于DRAM今年呈现年缺货状态,DRAM厂面临客户要求扩产压力,三大厂各有因应计划。三星明年除了加强18纳米制程转换,也开始思考相关扩产计划,市场传出平泽厂可能会增加10万片的DRAM产能,不过,三星至今为止尚未下单採购新的DRAM设备,反而加快NAND Flash设备採购,预期明年第四季前看不到大量DRAM产能开出。

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